FDH633605

MOSFET N-CH DO-35
FDH633605 P1
FDH633605 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDH633605

Numéro d'article
FDH633605
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH DO-35
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article FDH633605
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) -
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) -
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Température de fonctionnement -
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur DO-35
Paquet / cas DO-204AH, DO-35, Axial

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