FCH040N65S3_F155

MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
FCH040N65S3_F155 P1
FCH040N65S3_F155 P1
Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.

Fairchild/ON Semiconductor ~ FCH040N65S3_F155

Numéro d'article
FCH040N65S3_F155
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- FCH040N65S3_F155 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
  • En stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence : submit a request

Soumettez une demande d'offre sur des quantités supérieures à celles affichées.

Produit Paramètre

Tous les produits

Numéro d'article FCH040N65S3_F155
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 65A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 6.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 136nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4740pF @ 400V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 417W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 32.5A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-247-3
Paquet / cas TO-247-3

Produits connexes

Tous les produits