Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.
| Numéro d'article | EPC8005ENGR |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 65V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 2.9A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 0.22nC @ 5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 29pF @ 32.5V |
| Vgs (Max) | +6V, -5V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 275 mOhm @ 500mA, 5V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | Die |
| Paquet / cas | Die |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EPC8002 | EPC | TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE | 60000 | Détails | |
 |
EPC8002ENGR | EPC | TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE | 0 | Détails | |
 |
EPC8003ENGR | EPC | TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE | 0 | Détails | |
 |
EPC8004 | EPC | TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE | 5000 | Détails | |
 |
EPC8004ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE | 0 | Détails | |
 |
EPC8005ENGR | EPC | TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE | 0 | Détails | |
 |
EPC8007ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE | 0 | Détails | |
 |
EPC8008ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE | 0 | Détails | |
 |
EPC8009 | EPC | TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE | 2500 | Détails | |
 |
EPC8009ENGR | EPC | TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE | 0 | Détails | |
 |
EPC8010 | EPC | TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE | 5000 | Détails | |
 |
EPC8010ENGR | EPC | TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE | 0 | Détails |