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| Numéro d'article | EPC2212 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 11A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 5V |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 407pF @ 50V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | - |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | Die |
| Paquet / cas | Die |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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