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| Numéro d'article | ZXMP7A17GQTC |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 70V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 2.6A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 2.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 635pF @ 40V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 2W (Ta) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-223 |
| Paquet / cas | TO-261-4, TO-261AA |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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ZXMP10A17GQTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V SOT223 | - | 1000 | Détails |
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