ZXMHC3A01T8TA

MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
ZXMHC3A01T8TA P1
ZXMHC3A01T8TA P1
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Diodes Incorporated ~ ZXMHC3A01T8TA

Numéro d'article
ZXMHC3A01T8TA
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- ZXMHC3A01T8TA PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article ZXMHC3A01T8TA
État de la pièce Active
FET Type 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2.7A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 25V
Puissance - Max 1.3W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-223-8
Package de périphérique fournisseur SM8

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