ZXMD65P02N8TC

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
ZXMD65P02N8TC P1
ZXMD65P02N8TC P1
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Diodes Incorporated ~ ZXMD65P02N8TC

Numéro d'article
ZXMD65P02N8TC
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article ZXMD65P02N8TC
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 960pF @ 15V
Puissance - Max 1.75W
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOP

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