ZXMC3A16DN8TC

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
ZXMC3A16DN8TC P1
ZXMC3A16DN8TC P1
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Diodes Incorporated ~ ZXMC3A16DN8TC

Numéro d'article
ZXMC3A16DN8TC
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- ZXMC3A16DN8TC PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article ZXMC3A16DN8TC
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4.9A, 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 17.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 796pF @ 25V
Puissance - Max 1.25W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOP

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