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| Numéro d'article | HTMN5130SSD-13 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique | Standard |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 55V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 2.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8.9nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 218.7pF @ 25V |
| Puissance - Max | 1.7W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Package de périphérique fournisseur | 8-SO |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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HTMN5130SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC | - | 0 | Détails |