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| Numéro d'article | DMTH10H005SCT |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 140A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 111.7nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8474pF @ 50V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 187W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-220AB |
| Paquet / cas | TO-220-3 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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DMTH10H005LCT | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V 100V TO220AB | - | 0 | Détails |
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DMTH10H005SCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB | - | 38691 | Détails |
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DMTH10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET 100V 108A TO220AB | - | 79 | Détails |
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DMTH10H010LCTB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V 100V TO263 T&R | - | 2400 | Détails |
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DMTH10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50 | - | 103814 | Détails |
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DMTH10H010SCT | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V TO220AB T | - | 48383 | Détails |
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DMTH10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 | - | 103814 | Détails |
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DMTH10H010SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50 | - | 75165 | Détails |
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DMTH10H015LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 52.5A TO252 | - | 25000 | Détails |
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DMTH10H015LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI | - | 5000 | Détails |
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DMTH10H015SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50 | - | 123776 | Détails |
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DMTH10H015SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50 | - | 103106 | Détails |