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Numéro d'article | DMN55D0UTQ-7 |
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État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 50V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 160mA (Ta) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 200mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 100mA, 4V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | SOT-523 |
Paquet / cas | SOT-523 |