DMN2300UFL4-7

MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
DMN2300UFL4-7 P1
DMN2300UFL4-7 P1
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Diodes Incorporated ~ DMN2300UFL4-7

Numéro d'article
DMN2300UFL4-7
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- DMN2300UFL4-7 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article DMN2300UFL4-7
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2.11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 195 mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.6nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 64.3pF @ 25V
Puissance - Max 530mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-XFDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur X2-DFN1310-6

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