DMC1030UFDB-7

MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
DMC1030UFDB-7 P1
DMC1030UFDB-7 P1
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Diodes Incorporated ~ DMC1030UFDB-7

Numéro d'article
DMC1030UFDB-7
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article DMC1030UFDB-7
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel Complementary
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 12V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5.1A (Ta), 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V
Puissance - Max 1.36W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-UDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur U-DFN2020-6

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