DGD0590FU-7

IC GATE DRV HALFBRD QFN3030-8 3K
DGD0590FU-7 P1
DGD0590FU-7 P1
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Diodes Incorporated ~ DGD0590FU-7

Numéro d'article
DGD0590FU-7
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
IC GATE DRV HALFBRD QFN3030-8 3K
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
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Numéro d'article DGD0590FU-7
État de la pièce Active
Configuration pilotée Half-Bridge
Type de canal Independent
Nombre de pilotes 2
Type de porte N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 4.5V ~ 5.5V
Tension logique - VIL, VIH 1V, 3.3V
Courant - sortie de crête (source, évier) 1A, 3A
Type d'entrée Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) 50V
Rise / Fall Time (Typ) 27ns, 29ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-VQFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur V-QFN3030-8

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