2DB1182Q-13

TRANS PNP 32V 2A TO252
2DB1182Q-13 P1
2DB1182Q-13 P1
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Diodes Incorporated ~ 2DB1182Q-13

Numéro d'article
2DB1182Q-13
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
TRANS PNP 32V 2A TO252
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- 2DB1182Q-13 PDF online browsing
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
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Numéro d'article 2DB1182Q-13
État de la pièce Active
Type de transistor PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 2A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 32V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 800mV @ 200mA, 2A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 1µA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 3V
Puissance - Max 10W
Fréquence - Transition 110MHz
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseur TO-252

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