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| Numéro d'article | 1N5819HW-13 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| Type de diode | Schottky |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 1A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 750mV @ 3A |
| La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 40V |
| Capacitance @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | SOD-123 |
| Package de périphérique fournisseur | SOD-123 |
| Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 125°C |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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1N5802 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL | - | 262 | Détails |
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1N5802US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 1A D5A | - | 181 | Détails |
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1N5804 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | - | 478 | Détails |
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1N5804US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A D5A | - | 104 | Détails |
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1N5806E3/TR | Microsemi Corporation | UFRFRR | - | 12 | Détails |
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1N5806TR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL | - | 0 | Détails |
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1N5806US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 1A D5A | - | 229 | Détails |