CY7S1061GE30-10BVM

16MB POWERSNOOZE 3.3V ERR PIN MI
CY7S1061GE30-10BVM P1
CY7S1061GE30-10BVM P1
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Cypress Semiconductor Corp ~ CY7S1061GE30-10BVM

Numéro d'article
CY7S1061GE30-10BVM
Fabricant
Cypress Semiconductor Corp
La description
16MB POWERSNOOZE 3.3V ERR PIN MI
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Mémoire
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Numéro d'article CY7S1061GE30-10BVM
État de la pièce Active
Type de mémoire Volatile
Format de la mémoire SRAM
La technologie SRAM - Synchronous
Taille mémoire 16Mb (1M x 16)
Fréquence d'horloge -
Écrire un temps de cycle - Word, Page 10ns
Temps d'accès 10ns
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 2.2V ~ 3.6V
Température de fonctionnement -55°C ~ 125°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 48-VFBGA
Package de périphérique fournisseur 48-VFBGA (6x8)

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