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Numéro d'article | C2M0080120D |
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État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 1200V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 5V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 1000V |
Vgs (Max) | +25V, -10V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 192W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98 mOhm @ 20A, 20V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package de périphérique fournisseur | TO-247-3 |
Paquet / cas | TO-247-3 |