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| Numéro d'article | FCP1913H104J-E3 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| Capacitance | 0.1µF |
| Tolérance | ±5% |
| Tension nominale - AC | - |
| Tension nominale - DC | 50V |
| Matériau diélectrique | Polyphenylene Sulfide (PPS) |
| ESR (résistance série équivalente) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 1913 (4833 Metric) |
| Taille / Dimension | 0.189" L x 0.130" W (4.80mm x 3.30mm) |
| Hauteur - Assis (Max) | - |
| Résiliation | Solder Pads |
| Espacement de plomb | - |
| Applications | High Frequency, Switching |
| Évaluations | - |
| Caractéristiques | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FCP190N60 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | - | 800 | Détails |
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FCP190N60-GF102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 | - | 39094 | Détails |
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FCP190N60E | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | - | 9 | Détails |
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FCP190N60_GF102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 | - | 1053 | Détails |
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FCP190N65F | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3 | - | 462 | Détails |
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FCP190N65S3 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3 | - | 23272 | Détails |
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FCP190N65S3R0 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I | - | 46161 | Détails |
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FCP1913H104G | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913 | 0 | Détails | |
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FCP1913H104G-E2 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913 | 0 | Détails | |
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FCP1913H104G-E3 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP FILM 0.1UF 2 50VDC 1913 | - | 23052 | Détails |
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FCP1913H104J-E2 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP FILM 0.1UF 5% 50VDC 1913 | 0 | Détails | |
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FCP1913H104J-E3 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP FILM 0.1UF 5 50VDC 1913 | - | 23031 | Détails |