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| Numéro d'article | GBL06-G |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Single Phase |
| La technologie | Standard |
| Tension - Peak Reverse (Max) | 600V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 4A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 4A |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | 4-SIP, GBJ |
| Package de périphérique fournisseur | GBJ |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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GBL005 | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 50V 4A GBL | 861 | Détails | |
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GBL005 D2G | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL | - | 234544 | Détails |
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GBL005-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL | - | 0 | Détails |
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GBL005-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL | - | 0 | Détails |
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GBL005HD2G | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL | - | 220268 | Détails |
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GBL01 | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 100V 4A GBL | 0 | Détails | |
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GBL01 D2G | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A GBL | - | 234544 | Détails |
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GBL01-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL | - | 94 | Détails |
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GBL01-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL | - | 0 | Détails |
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GBL01-M3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | BRIDGE RECT 4A GPP 100V GBL | - | 0 | Détails |
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GBL01-M3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | BRIDGE RECT 4A GPP 100V GBL | - | 0 | Détails |
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GBL01/1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | RECTIFIER BRIDGE 4A 100V GBL | - | 0 | Détails |