BU806

THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR
BU806 P1
BU806 P1
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Central Semiconductor Corp ~ BU806

Numéro d'article
BU806
Fabricant
Central Semiconductor Corp
La description
THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
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Numéro d'article BU806
État de la pièce Active
Type de transistor NPN
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 8A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 400V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 50mA, 5A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100µA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce -
Puissance - Max 60W
Fréquence - Transition -
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-220-3
Package de périphérique fournisseur TO-220-3

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