NE58219-T1-A

TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI
NE58219-T1-A P1
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CEL ~ NE58219-T1-A

Numéro d'article
NE58219-T1-A
Fabricant
CEL
La description
TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
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Numéro d'article NE58219-T1-A
État de la pièce Obsolete
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 12V
Fréquence - Transition 5GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) -
Gain -
Puissance - Max 100mW
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 60mA
Température de fonctionnement 125°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-75, SOT-416
Package de périphérique fournisseur 3-SuperMiniMold (19)

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