NE3516S02-A

IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
NE3516S02-A P1
NE3516S02-A P1
Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.

CEL ~ NE3516S02-A

Numéro d'article
NE3516S02-A
Fabricant
CEL
La description
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
NE3516S02-A.pdf NE3516S02-A PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - RF
  • En stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence : submit a request

Soumettez une demande d'offre sur des quantités supérieures à celles affichées.

Produit Paramètre

Tous les produits

Numéro d'article NE3516S02-A
État de la pièce Obsolete
Type de transistor N-Channel GaAs HJ-FET
La fréquence 12GHz
Gain 14dB
Tension - Test 2V
Note actuelle 60mA
Figure de bruit 0.35dB
Actuel - Test 10mA
Puissance - Sortie 165mW
Tension - Rated 4V
Paquet / cas 4-SMD, Flat Leads
Package de périphérique fournisseur S02

Produits connexes

Tous les produits