NE3511S02-T1C-A

IC AMP RF LNA 13.5DB S02
NE3511S02-T1C-A P1
NE3511S02-T1C-A P1
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CEL ~ NE3511S02-T1C-A

Numéro d'article
NE3511S02-T1C-A
Fabricant
CEL
La description
IC AMP RF LNA 13.5DB S02
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- NE3511S02-T1C-A PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - RF
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Numéro d'article NE3511S02-T1C-A
État de la pièce Obsolete
Type de transistor HFET
La fréquence 12GHz
Gain 13.5dB
Tension - Test 2V
Note actuelle 70mA
Figure de bruit 0.3dB
Actuel - Test 10mA
Puissance - Sortie -
Tension - Rated 4V
Paquet / cas 4-SMD, Flat Leads
Package de périphérique fournisseur S02

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