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Numéro d'article | VP0550N3-G-P013 |
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État de la pièce | Active |
FET Type | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 54mA (Tj) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 1W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 Ohm @ 10mA, 10V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package de périphérique fournisseur | TO-92-3 |
Paquet / cas | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |