MIC5019YFT-TR

IC MOSFET DVR HIGH-SIDE 4TQFN
MIC5019YFT-TR P1
MIC5019YFT-TR P1
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Microchip Technology ~ MIC5019YFT-TR

Numéro d'article
MIC5019YFT-TR
Fabricant
Microchip Technology
La description
IC MOSFET DVR HIGH-SIDE 4TQFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
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Numéro d'article MIC5019YFT-TR
État de la pièce Active
Configuration pilotée High-Side
Type de canal Single
Nombre de pilotes 1
Type de porte N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 2.7 V ~ 9 V
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 3V
Courant - sortie de crête (source, évier) -
Type d'entrée Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) -
Rise / Fall Time (Typ) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 4-UDFN Exposed Pad, 4-TMLF®
Package de périphérique fournisseur 4-TQFN (1.2x1.2)

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