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Numéro d'article | AOU4N60 |
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État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 104W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 Ohm @ 2A, 10V |
Température de fonctionnement | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package de périphérique fournisseur | TO-251-3 |
Paquet / cas | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |