AON6912A

MOSFET 2N-CH 30V 10A/13.8A 8DFN
AON6912A P1
AON6912A P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AON6912A

Numéro d'article
AON6912A
Fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
La description
MOSFET 2N-CH 30V 10A/13.8A 8DFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article AON6912A
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 10A, 13.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.7 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 910pF @ 15V
Puissance - Max 1.9W, 2.1W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerVDFN
Package de périphérique fournisseur 8-DFN (5x6)

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