AON6812

MOSFET 2N-CH 30V 27A 8-DFN
AON6812 P1
AON6812 P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AON6812

Numéro d'article
AON6812
Fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
La description
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8-DFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article AON6812
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 27A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1720pF @ 15V
Puissance - Max 4.1W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur 8-DFN-EP (5.2x5.55)

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