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BOM

AOC4810

MOSFET 2N-CH 8-DFN
Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Matrices › AOC4810
AOC4810 P1
AOC4810 P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AOC4810

Numéro d'article
AOC4810
Fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
La description
MOSFET 2N-CH 8-DFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- AOC4810 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article AOC4810
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) -
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1130pF @ 15V
Puissance - Max 900mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-XFLGA Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur 8-AlphaDFN (3.2x2)

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