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| Número de pieza | E3M0280090D |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 900V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 7.5A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 15V |
| Vgs (Max) | +18V, -8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 600V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 54W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247-3 |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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E3M0065090D | Cree/Wolfspeed | E-SERIES 900V 65 MOHM G3 SIC M | - | 5452 | Detalles |
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E3M0120090D | Cree/Wolfspeed | E-SERIES 900V 120 MOHM G3 SIC | - | 8665 | Detalles |
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E3M0280090D | Cree/Wolfspeed | E-SERIES 900V 280 MOHM G3 SIC | - | 15718 | Detalles |