VS-GT300FD060N

IGBT 600V 379A 1250W DIAP
VS-GT300FD060N P1
VS-GT300FD060N P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-GT300FD060N

Número de pieza
VS-GT300FD060N
Fabricante
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción
IGBT 600V 379A 1250W DIAP
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- VS-GT300FD060N PDF online browsing
Familia
Transistores - IGBT - Módulos
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Número de pieza VS-GT300FD060N
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT Trench Field Stop
Configuración Three Level Inverter
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 379A
Potencia - Max 1250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 300A
Corriente - corte de colector (máximo) 250µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 23.3nF @ 30V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Dual INT-A-PAK (4 + 8)
Paquete de dispositivo del proveedor Dual INT-A-PAK

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