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| Número de pieza | UF1006-E3/54 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 1A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 1A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 75ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 800V |
| Capacitancia @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DO-204AL (DO-41) |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -65°C ~ 180°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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UF1001-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 | - | 10000 | Detalles |
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UF1002-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 | - | 0 | Detalles |
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UF1003-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 | - | 5000 | Detalles |
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UF1004-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 | - | 5000 | Detalles |
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UF1005-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1A 600V 75NS DO-41 | - | 0 | Detalles |
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UF1005-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1A 600V 75NS DO-41 | - | 0 | Detalles |
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UF1005-M3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1A 600V 75NS DO-41 | - | 0 | Detalles |
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UF1005-M3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1A 600V 75NS DO-41 | - | 0 | Detalles |
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UF1005-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 | - | 5000 | Detalles |
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UF1006-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1A 800V 75NS DO-41 | - | 0 | Detalles |
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UF1006-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1A 800V 75NS DO-41 | - | 0 | Detalles |
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UF1006-M3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1A 800V 75NS DO-41 | - | 0 | Detalles |