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| Número de pieza | SQJB90EP-T1_GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Standard |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 30A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| Potencia - Max | 48W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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SQJB90EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 80V SO8 | - | 3000 | Detalles |