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Número de pieza | SQJ402EP-T1_GE3 |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 32A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2289pF @ 40V |
Vgs (Max) | ±20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 83W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 10A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 |
Paquete / caja | PowerPAK® SO-8 |