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| Número de pieza | SIZ916DT-T1-GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica FET | Standard |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 16A, 40A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4 mOhm @ 19A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1208pF @ 15V |
| Potencia - Max | 22.7W, 100W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 6-PowerPair™ |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 6-PowerPair™ |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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SIZ910DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR | - | 0 | Detalles |
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SIZ914DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR | - | 0 | Detalles |
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SIZ916DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR | - | 0 | Detalles |
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SIZ918DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR | - | 3000 | Detalles |