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| Número de pieza | SIHH100N60E-T1-GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 28A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 13.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1850pF @ 100V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 174W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® 8 x 8 |
| Paquete / caja | 8-PowerTDFN |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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SIHH100N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET E SERIES 600V POWERPAK 8X | - | 17089 | Detalles |