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| Número de pieza | SIHD7N60ET4-GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 100V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 78W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-252AA |
| Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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SIHD7N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 7A TO-252 | - | 0 | Detalles |
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SIHD7N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 7A TO-252 | - | 12849 | Detalles |
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SIHD7N60ET4-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA | - | 72898 | Detalles |
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SIHD7N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA | - | 77807 | Detalles |