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| Número de pieza | SI8481DB-T1-E1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9.7A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6) |
| Paquete / caja | 4-UFBGA |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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SI8481DB-T1-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT | - | 0 | Detalles |
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SI8483DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT | - | 9000 | Detalles |
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SI8487DB-T1-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V MICROFOOT | - | 0 | Detalles |
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SI8489EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V MICROFOOT | - | 0 | Detalles |