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Número de pieza | SI7868ADP-T1-GE3 |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 40A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6110pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 5.4W (Ta), 83W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.25 mOhm @ 20A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 |
Paquete / caja | PowerPAK® SO-8 |