SI7530DP-T1-E3

MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
SI7530DP-T1-E3 P1
SI7530DP-T1-E3 P1
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Vishay Siliconix ~ SI7530DP-T1-E3

Número de pieza
SI7530DP-T1-E3
Fabricante
Vishay Siliconix
Descripción
MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza SI7530DP-T1-E3
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N and P-Channel
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3A, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Potencia - Max 1.4W, 1.5W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Dual

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