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| Número de pieza | SI5441DC-T1-E3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.9A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 3.9A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 1206-8 ChipFET™ |
| Paquete / caja | 8-SMD, Flat Lead |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SI5440DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8 | - | 0 | Detalles |
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SI5441BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8 | - | 0 | Detalles |
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SI5441BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8 | - | 0 | Detalles |
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SI5441DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8 | - | 0 | Detalles |
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SI5443DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8 | - | 0 | Detalles |
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