Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
Número de pieza | SI4320DY-T1-E3 |
---|---|
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 17A (Ta) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6500pF @ 15V |
Vgs (Max) | ±20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 1.6W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 25A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SO |
Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |