Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
| Número de pieza | SI3850ADV-T1-GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N and P-Channel, Common Drain |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.4A, 960mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potencia - Max | 1.08W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 6-TSOP |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3850ADV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP | - | 0 | Detalles |
 |
SI3850ADV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6-TSOP | - | 0 | Detalles |