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Número de pieza | SI1013R-T1-GE3 |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 350mA (Ta) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.8V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Vgs (Max) | ±6V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 150mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | SC-75A |
Paquete / caja | SC-75A |