LS4448GS08

DIODE GEN PURP 100V 300MA SOD80
LS4448GS08 P1
LS4448GS08 P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ LS4448GS08

Número de pieza
LS4448GS08
Fabricante
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción
DIODE GEN PURP 100V 300MA SOD80
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Diodos - Rectificadores
- Simple
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Número de pieza LS4448GS08
Estado de la pieza Active
Tipo de diodo Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Corriente - promedio rectificado (Io) 300mA
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 1V @ 100mA
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) 8ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 25nA @ 20V
Capacitancia @ Vr, F 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SOD-80 Variant
Paquete de dispositivo del proveedor SOD-80 QuadroMELF
Temperatura de funcionamiento - unión 175°C (Max)

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