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| Número de pieza | BYW55-TAP |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Avalanche |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 2A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 1A |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 4µs |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 800V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | SOD-57, Axial |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOD-57 |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 175°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BYW100-200 | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15 | 0 | Detalles | |
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BYW100-200RL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15 | 0 | Detalles | |
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BYW172D-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 | - | 0 | Detalles |
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BYW172D-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 | - | 0 | Detalles |
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BYW172F-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 300V 3A SOD64 | - | 0 | Detalles |
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BYW172F-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 300V 3A SOD64 | - | 0 | Detalles |
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BYW172G-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 | - | 0 | Detalles |
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BYW172G-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 | - | 0 | Detalles |
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BYW178-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64 | - | 0 | Detalles |
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BYW178-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64 | - | 10000 | Detalles |
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BYW27-200GP-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL | - | 0 | Detalles |
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BYW27-200GP-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL | - | 0 | Detalles |