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| Número de pieza | BYG20D-M3/TR |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Avalanche |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 1.5A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.4V @ 1.5A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 75ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 200V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | DO-214AC, SMA |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 150°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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BYG20D M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC | - | 740667 | Detalles |
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BYG20D R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC | - | 666600 | Detalles |
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BYG20D-E3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A | - | 9000 | Detalles |
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BYG20D-E3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A | - | 0 | Detalles |
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BYG20D-M3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A | - | 0 | Detalles |
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BYG20D-M3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A | - | 0 | Detalles |
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BYG20DHE3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SMA | - | 0 | Detalles |
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BYG20DHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SMA | - | 0 | Detalles |
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BYG20DHM3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SMA | - | 0 | Detalles |
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BYG20DHM3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SMA | - | 0 | Detalles |
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BYG20G M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AC | - | 740667 | Detalles |
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BYG20G R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AC | - | 592534 | Detalles |