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| Número de pieza | TK7A65W,S5X |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.8A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 300V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 780 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220SIS |
| Paquete / caja | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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TK7A45DA(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 450V 6.5A TO-220SIS | - | 0 | Detalles |
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TK7A55D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 550V 7A TO-220SIS | - | 0 | Detalles |
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TK7A60W,S4VX | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS | - | 0 | Detalles |
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TK7A60W5,S5VX | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220SIS | - | 114 | Detalles |
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TK7A65D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 7A TO-220SIS | - | 0 | Detalles |
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TK7A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS | - | 249 | Detalles |
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TK7A90E,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 900V TO220SIS | - | 45 | Detalles |