TK25E60X,S1X

MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
TK25E60X,S1X P1
TK25E60X,S1X P2
TK25E60X,S1X P1
TK25E60X,S1X P2
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK25E60X,S1X

Número de pieza
TK25E60X,S1X
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- TK25E60X,S1X PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza TK25E60X,S1X
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 25A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.2mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 300V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 7.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / caja TO-220-3

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